數(shù)據(jù)列表 | 2N7002DW Datasheet |
---|---|
產品相片 | SOT-363 |
其它圖紙 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 |
PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 115mA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 7.5 歐姆 @ 50mA,5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應商器件封裝 | SOT-363 |
產品目錄頁面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 2N7002DW-FDITR 2N7002DW7F |