數(shù)據(jù)列表 | DMS2220LFDB |
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產(chǎn)品相片 | DFN2020B-6 |
其它圖紙 | DFN2020B-6 Top DFN2020B-6 Side |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 二極管(隔離式) |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 3.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 95 毫歐 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 632pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.4W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-UDFN 裸露焊盤(pán) |
供應(yīng)商器件封裝 | 6-DFN2020B(2x2) |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱(chēng) | DMS2220LFDB7 DMS2220LFDBDITR |