ST推出更高能效SuperMESH3功率MOSFET
意法半導(dǎo)體進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻，確保晶體管具有更高的能效。此外，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，隨后還將推出620V的STx3N62K3和525V的STx7N52K3和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點，在620V電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到1.28Ω；在525V電壓下，STD7N52K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到0.98Ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時間(Trr)、柵電荷量和本征電容，提高開關(guān)性能和工作頻率。
優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓?fù)涞娜诤�，為意法半�?dǎo)體的SuperMESH3技術(shù)增添了一個新的優(yōu)點：即同類產(chǎn)品中最出色的dv/dt特性。這個特性可以讓照明系統(tǒng)和消費電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實現(xiàn)全方位的強(qiáng)健性，SuperMESH3器件全部經(jīng)過了100%的雪崩測試，并集成了齊納二極管保護(hù)功能。
