Zetex發(fā)布采用DFN322無鉛封裝的MOSFET產(chǎn)品ZXMN2F34MA
模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors（捷特科）公司推出其首款采用無鉛 2mm x 2mm DFN 封裝的MOSFET產(chǎn)品ZXMN2F34MA。該器件的印刷電路板占位面積比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT23 封裝器件小50%，板外高度只有 0.85 mm，適用于各類空間有限的開關(guān)及電源管理應(yīng)用，如降壓/升壓負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器中的外置開關(guān)。對(duì)這些應(yīng)用而言，印刷電路板的占位面積、散熱性能及低閾值電壓是最重要的。
MOSFET是 Zetex 六款新型低電壓 （20V和30V）N溝道單雙器件系列的一款，該系列有不同的表面貼裝封裝可供選擇。
盡管尺寸縮小了，額定電壓為 20V 的 ZXMN2F34MA的散熱性能卻勝過體積比它大得多的 SOT23 封裝。該器件采用的 DFN322無鉛封裝可保證熱阻比同類產(chǎn)品低 40%，有助于降低工作溫度和改善功率密度。在 4.5V 和 2.5V 的典型柵源極電壓下，ZXMN2F34MA的導(dǎo)通電阻值分別僅有60mΩ和120mΩ。
此外，新器件的反向恢復(fù)電荷較低，可減少開關(guān)損耗和電磁輻射（EMI）問題，非常適用于筆記本電腦、移動(dòng)電話及通用便攜式電子設(shè)備等低電壓應(yīng)用，這些應(yīng)用需要降低在線功率損耗來延長充電間隔時(shí)間。
ZXMN2F34MA 系列采用 DFN322 封裝，其中 ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA 三款采用 SOT23 封裝的 N 溝道MOSFET；ZXMN3F31DN8 和 ZXMN3G32DN8 兩款則是采用 SO8 封裝的雙 N 溝道器件。
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* 功率管理知識(shí)介紹
今天的功率管理技術(shù)，特別是在變速運(yùn)動(dòng)控制和高效率照明領(lǐng)域里，都是很重要的工具，我們可以利用它來解決一些非常嚴(yán)峻的能源問題。利用功率管理技術(shù)，我們可以把現(xiàn)在浪費(fèi)了的幾十億BTU(相當(dāng)于200萬億千瓦小時(shí)的電力)能量轉(zhuǎn)變成燃料，為全世界更多的人帶來光明。復(fù)雜的功率管理問題，例如電子運(yùn)動(dòng)控制，是需要用系統(tǒng)的方法來解決的。個(gè)別標(biāo)準(zhǔn)電子元件的效率和性能不再足以節(jié)省更大量的電力。用于功率管理的綜合設(shè)計(jì)平臺(tái)使用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)，把不可缺少的數(shù)字、模擬和功率級(jí)的電路整合在一起。專家們現(xiàn)在必須把硅半導(dǎo)體、封裝和軟件各方面的技術(shù)結(jié)合，構(gòu)成綜合性的設(shè)計(jì)平臺(tái)，以提供功率管理解決方案。
